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FBG20N04AC

GAN FET HEMT200V 4A COTS 4FSMD-A

+BOM RFQ

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Spezifikationen

Package	Tray
Series	eGaN®
ProductStatus	Active
FETFeature	Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)	200V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	4A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs	130mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th)(Max)@Id	2.8V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	3nC @ 5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	150pF @ 100V
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount
Package/Case	4-SMD, No Lead

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