FBG20N18BC

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FBG20N18BC

GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B

  • Hersteller
  • Fr. Teil #FBG20N18BC
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Spezifikationen

Supplier EPC Space
Package Tray
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 18A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V
RdsOn(Max)@IdVgs 26mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 3mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 6 nC @ 5 V
Vgs(Max) +6V, -4V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 900 pF @ 100 V
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 4-SMD

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