FBG30N04CC

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FBG30N04CC

GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C

  • Hersteller
  • Fr. Teil #FBG30N04CC
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Spezifikationen

Supplier EPC Space
Package Tray
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 300 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V
RdsOn(Max)@IdVgs 404mOhm @ 4A, 5V
Vgs(th)(Max)@Id 2.8V @ 600µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2.6 nC @ 5 V
Vgs(Max) +6V, -4V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 450 pF @ 150 V
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 4-SMD

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