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FCPF190N60
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F
- Herstelleronsemi
- Fr. Teil #FCPF190N60
- Paket
- Datenblatt FCPF190N60 DataSheet
- Auf Lager16860
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Spezifikationen
Series | SuperFET® II |
Part Status | Active |
FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 10A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2950 pF @ 25 V |
Power Dissipation (Max) | 39W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220F-3 |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Base Product Number | FCPF190 |
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