FDD10AN06A0

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FDD10AN06A0

MOSFET N-CH 60V 11A/50A TO252AA

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  • Fr. Teil #FDD10AN06A0
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Spezifikationen

Supplier onsemi,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Series PowerTrench®
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 11A (Ta), 50A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 10.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 37 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1840 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 135W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-252AA

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