FDFMA2P029Z

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FDFMA2P029Z

MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET

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Spezifikationen

Supplier onsemi,Flip Electronics
Package Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series PowerTrench®
ProductStatus Obsolete
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.1A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 10 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 720 pF @ 10 V
FETFeature Schottky Diode (Isolated)
PowerDissipation(Max) 1.4W (Tj)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 6-MicroFET (2x2)

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