FDMS10C4D2N

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FDMS10C4D2N

MOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN

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Spezifikationen

Supplier onsemi
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 17A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 4.2mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 65 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 4500 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 125W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 8-PQFN (5x6)

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