FDN336P

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FDN336P

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

  • HerstellerFairchild Semiconductor
  • Fr. Teil #FDN336P
  • Paket
  • Datenblatt FDN336P DataSheet
  • Auf Lager29018

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Spezifikationen

Series PowerTrench®
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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