FDPC1012S

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FDPC1012S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FETFeature Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 13A (Ta), 35A (Tc), 26A (Ta), 88A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 7mOhm @ 12A, 4.5V, 2.2mOhm @ 23A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 8nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1075pF @ 13V, 3456pF @ 13V
Power-Max 800mW (Ta), 900mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-PowerWDFN

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