FDPF2D3N10C

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FDPF2D3N10C

MOSFET N-CH 100V 222A TO220F

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  • Fr. Teil #FDPF2D3N10C
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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC,onsemi,Flip Electronics
Package Bulk,Tube,Tube
Series PowerTrench®
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 222A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 700µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 152 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 11180 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 45W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-220F

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