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FDS6612A
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- HerstellerFairchild Semiconductor
- Fr. Teil #FDS6612A
- Paket
- Datenblatt FDS6612A DataSheet
- Auf Lager18947
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Spezifikationen
| Series | PowerTrench® |
| Part Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 8.4A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.6 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560 pF @ 15 V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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