FDS6900S

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FDS6900S

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series PowerTrench®
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.9A (Ta), 8.2A (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs 30mOhm @ 6.9A, 10V, 22mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 11nC @ 5V, 17nC @ 5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 771pF @ 15V, 1238pF @ 15V
Power-Max 900mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

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