Bilder sind nur zur Referenz
FDS6930B
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
- Hersteller
- Fr. Teil #FDS6930B
- Paket 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Datenblatt FDS6930B DataSheet
- Auf Lager8491
100% Original und Neu
24 Stunden bereit zum Versand
365 Tage Garantie
RFQ & Erhalten Sie mehr Rabatte
Spezifikationen
| Supplier | onsemi,Rochester Electronics, LLC |
| Package | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk |
| Series | PowerTrench® |
| ProductStatus | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 5.5A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 38mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 3V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 3.8nC @ 5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 412pF @ 15V |
| Power-Max | 900mW |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount |
| Package/Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Übersicht
Description
Features
1. Low On-Resistance: Ensures minimal power loss during operation, enhancing efficiency.
2. High-Speed Switching: Provides fast switching capabilities, suitable for applications like DC-DC converters and load switches.
3. Voltage Rating: Typically supports a drain-source voltage of up to 30V, making it versatile for various low-voltage applications.
4. Compact Package: Often available in a surface-mount package (e.g., SO-8), facilitating space-saving designs.
5. Thermal Performance: Designed to handle significant power dissipation, improving reliability in demanding environments.
6. Low Gate Charge: Offers reduced drive power for lower heat generation in the gate drive circuit.
These features make the FDS6930B ideal for consumer electronics, automotive systems, and other electronic devices requiring efficient power switching.
Package
Pinout
1. Gate1 (G1) - Controls the first N-channel MOSFET.
2. Drain1 (D1) - Drain terminal for the first N-channel MOSFET.
3. Source1 (S1) - Source terminal for the first N-channel MOSFET.
4. Source2 (S2) - Source terminal for the second N-channel MOSFET.
5. Drain2 (D2) - Drain terminal for the second N-channel MOSFET.
6. Gate2 (G2) - Controls the second N-channel MOSFET.
7. Drain1 (D1) - Duplicate pin for the first MOSFET's Drain.
8. Source2 (S2) - Duplicate pin for the second MOSFET's Source.
The FDS6930B is commonly used in applications such as power management, electronic switching, and load driving due to its fast switching speeds and low on-resistance.
Manufacturer
Application
Equivalent
Versand
VersandmethodenWir
bieten Sie globale Versanddienstleistungen durch DHL, FedEx, TNT, UPS oder einen anderen Spediteur Ihrer Wahl.
Versandgebührenreferenz (DHL/FedEx):
DHL: Versandkosten reichen von $25-$45 (0.5kg), mit einer geschätzten Lieferzeit von 2-5 Werktagen.
von FedEx: Versandkosten reichen von $25-$40 (0.5kg), mit einer geschätzten Lieferzeit von 3-7 Werktagen.
UPS: Versandkosten reichen von $25-$45 (0.5kg), mit einer geschätzten Lieferzeit von 3-7 Werktagen.
TNT: Versandkosten reichen von $25-$65 (0.5kg), mit einer geschätzten Lieferzeit von 3-7 Werktagen.
EMS: Versandkosten reichen von $30-$50 (0.5kg), mit einer geschätzten Lieferzeit von 7-15 Werktagen.
Registrierte Luftpost: Versandkosten sind $ 2- $ 4 (0,1 kg), mit einer geschätzten Lieferzeit von 5-20 Werktagen.
Zahlungen
Payment Methods
Die Zahlungsfrist ist 100% Prepaid.
Derzeit akzeptieren wir nur die folgenden Zahlungsmethoden:
1. PayPal
2. Kredit- / Debitkarte
3. Überweisung
Ähnliche
-
MX25R8035FM1IL0
Macronix
-
MX25L3233FZBI-08Q
Macronix
-
MX25V1635FZNQ03
Macronix
-
MX29F400CBTI-70G
Macronix
-
MX25V16066M2I02
Macronix
-
MX30LF2G28AD-TI
Macronix
-
MX25L8035EM2I-10G
Macronix
-
MX25L25673GMI-08G
Macronix
-
MX25L6433FM2I-08G
Macronix
-
MX25L12833FZ2I-10..
Macronix
-
MX25U25645GXDI00
Macronix
-
MX25L12835FZ2I-10..
Macronix