FQI3N40TU

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FQI3N40TU

MOSFET N-CH 400V 2.5A I2PAK

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  • Fr. Teil #FQI3N40TU
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Spezifikationen

Supplier onsemi
Package Tube
Series QFET®
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 400 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.5A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 3.4Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 7.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 230 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 3.13W (Ta), 55W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage I2PAK (TO-262)

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