FQP34N20L

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FQP34N20L

MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3

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  • Fr. Teil #FQP34N20L
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Spezifikationen

Supplier onsemi
Package Tube
Series QFET®
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 31A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 75mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 72 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3900 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 180W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-220-3

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