FQPF4N20L

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FQPF4N20L

MOSFET N-CH 200V 3A TO220F

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  • Fr. Teil #FQPF4N20L
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Spezifikationen

Supplier onsemi
Package Tube
Series QFET®
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 5.2 nC @ 5 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 310 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 27W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-220F-3

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