FQU2N50BTU-WS

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FQU2N50BTU-WS

MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK

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  • Fr. Teil #FQU2N50BTU-WS
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Spezifikationen

Supplier Flip Electronics,onsemi
Package Tube,Tube
Series QFET®
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1.6A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 5.3Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3.7V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 8 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 230 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage I-PAK

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