G2R1000MT33J

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G2R1000MT33J

SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7

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  • Fr. Teil #G2R1000MT33J
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Spezifikationen

Supplier GeneSiC Semiconductor
Package Tube
Series G2R™
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 3300 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 20V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.2Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 3.5V @ 2mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 21 nC @ 20 V
Vgs(Max) +20V, -5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 238 pF @ 1000 V
PowerDissipation(Max) 74W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-263-7

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