G3R160MT17J

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G3R160MT17J

SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7

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Spezifikationen

Supplier GeneSiC Semiconductor
Package Tube
Series G3R™
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1700 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 22A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 15V
RdsOn(Max)@IdVgs 208mOhm @ 12A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id 2.7V @ 5mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 51 nC @ 15 V
Vgs(Max) ±15V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1272 pF @ 1000 V
PowerDissipation(Max) 187W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-263-7

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