G3R20MT17K

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G3R20MT17K

SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4

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  • Fr. Teil #G3R20MT17K
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Spezifikationen

Supplier GeneSiC Semiconductor
Package Tube
Series G3R™
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1700 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 124A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 15V
RdsOn(Max)@IdVgs 26mOhm @ 75A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id 2.7V @ 15mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 400 nC @ 15 V
Vgs(Max) ±15V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 10187 pF @ 1000 V
PowerDissipation(Max) 809W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-4

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