G3R30MT12J

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G3R30MT12J

SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7

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Spezifikationen

Supplier GeneSiC Semiconductor
Package Tube
Series G3R™
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 96A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 15V
RdsOn(Max)@IdVgs 36mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id 2.69V @ 12mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 155 nC @ 15 V
Vgs(Max) ±15V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3901 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 459W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-263-7

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