G3R40MT12D

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G3R40MT12D

SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3

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  • Fr. Teil #G3R40MT12D
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Spezifikationen

Supplier GeneSiC Semiconductor
Package Tube
Series G3R™
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 71A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 15V
RdsOn(Max)@IdVgs 48mOhm @ 35A, 15V
Vgs(th)(Max)@Id 2.69V @ 10mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 106 nC @ 15 V
Vgs(Max) ±15V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2929 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 333W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-3

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