G60N04K

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G60N04K

N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

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  • Fr. Teil #G60N04K
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Spezifikationen

Supplier Goford Semiconductor
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 60A
RdsOn(Max)@IdVgs 7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 29 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1800 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max) 65W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-252 (DPAK)

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