G86N06K

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G86N06K

N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V

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  • Fr. Teil #G86N06K
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Spezifikationen

Supplier Goford Semiconductor
Package 1
Series Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
FETType Active
Technology N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss) MOSFET (Metal Oxide)
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 60 V
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 68A
Vgs(th)(Max)@Id 8.4mOhm @ 4A, 10V
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 4V @ 250µA
Vgs(Max) 77 nC @ 10 V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds ±20V
FETFeature 2860 pF @ 25 V
OperatingTemperature 88W
MountingType -55°C ~ 175°C (TJ)
SupplierDevicePackage Surface Mount

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