GA100JT17-227

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GA100JT17-227

TRANS SJT 1700V 160A SOT227

  • Hersteller
  • Fr. Teil #GA100JT17-227
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Spezifikationen

Supplier GeneSiC Semiconductor
Package Tube
ProductStatus Obsolete
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1700 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 160A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 10mOhm @ 100A
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 14400 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 535W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
SupplierDevicePackage SOT-227

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