GA10SICP12-263

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TRANS SJT 1200V 25A D2PAK

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  • Fr. Teil #GA10SICP12-263
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Spezifikationen

Supplier GeneSiC Semiconductor
Package Tube
ProductStatus Active
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 25A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 100mOhm @ 10A
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1403 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 170W (Tc)
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage TO-263-7

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