GA50JT06-258

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GA50JT06-258

TRANS SJT 600V 100A TO258

  • Hersteller
  • Fr. Teil #GA50JT06-258
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Spezifikationen

Supplier GeneSiC Semiconductor
Package Bulk
ProductStatus Active
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 100A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 25mOhm @ 50A
PowerDissipation(Max) 769W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 225°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-258

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