GA50JT12-247

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GA50JT12-247

TRANS SJT 1200V 100A TO247AB

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  • Fr. Teil #GA50JT12-247
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Spezifikationen

Supplier GeneSiC Semiconductor
Package Tube
ProductStatus Obsolete
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 100A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs 25mOhm @ 50A
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 7209 pF @ 800 V
PowerDissipation(Max) 583W (Tc)
OperatingTemperature 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247AB

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