GCMX080B120S1-E1

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GCMX080B120S1-E1

SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227

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  • Fr. Teil #GCMX080B120S1-E1
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Spezifikationen

Supplier SemiQ
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 30A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 20V
RdsOn(Max)@IdVgs 100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 10mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 58 nC @ 20 V
Vgs(Max) +25V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1336 pF @ 1000 V
PowerDissipation(Max) 142W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Chassis Mount
SupplierDevicePackage SOT-227

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