GD25B512MEYIGR

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GD25B512MEYIGR

IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON

  • HerstellerGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • Fr. Teil #GD25B512MEYIGR
  • Paket
  • Datenblatt GD25B512MEYIGR DataSheet
  • Auf Lager16272

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Spezifikationen

Series GD25B
Part Status Active
Memory Type Non-Volatile
Memory Format FLASH
Memory Size 512Mbit
Memory Organization 64M x 8
Memory Interface SPI - Quad I/O, QPI, DTR
Clock Frequency 133 MHz
Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-WDFN Exposed Pad
Base Product Number GD25B512
Technology FLASH - NOR (SLC)
Supplier Device Package 8-WSON (6x8)

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