GP2T040A120H

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GP2T040A120H

SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L

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  • Fr. Teil #GP2T040A120H
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Spezifikationen

Supplier SemiQ
Package Tube
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 63A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 20V
RdsOn(Max)@IdVgs 52mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 10mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 118 nC @ 20 V
Vgs(Max) +25V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 3192 pF @ 1000 V
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage TO-247-4L

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