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GT30J121(Q)
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
- HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
- Fr. Teil #GT30J121(Q)
- Paket TO-3P-3
- Datenblatt GT30J121(Q) DataSheet
- Auf Lager2826
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Spezifikationen
Package | Tube |
ProductStatus | Active |
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 600 V |
Current-Collector(Ic)(Max) | 30 A |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 60 A |
Vce(on)(Max)@VgeIc | 2.45V @ 15V, 30A |
Power-Max | 170 W |
SwitchingEnergy | 1mJ (on), 800µJ (off) |
InputType | Standard |
Td(on/off)@25°C | 90ns/300ns |
TestCondition | 300V, 30A, 24Ohm, 15V |
MountingType | Through Hole |
Package/Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
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