GT52N10D5

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GT52N10D5

N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1

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  • Fr. Teil #GT52N10D5
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Spezifikationen

Supplier Goford Semiconductor
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 71A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 7.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 44.5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2626 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 79W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 8-DFN (5.2x5.86)

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