HAT1093C-EL-E

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HAT1093C-EL-E

HAT1093C - P-CHANNEL POWER MOSFE

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  • Fr. Teil #HAT1093C-EL-E
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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
ProductStatus Obsolete
FETType P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 12 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 1.8V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 54mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.2V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 11 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 940 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max) 900mW (Ta)
OperatingTemperature 150°C
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 6-CMFPAK

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