HAT2203C-EL-E

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HAT2203C-EL-E

HAT2203C-EL-E - SILICON N CHANNE

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  • Fr. Teil #HAT2203C-EL-E
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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs 90mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.4V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 1.8 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 165 pF @ 10 V
PowerDissipation(Max) 830mW (Ta)
OperatingTemperature 150°C
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage 6-CMFPAK

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