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HGT1S12N60A4DS
IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2
- HerstellerFairchild Semiconductor
- Fr. Teil #HGT1S12N60A4DS
- Paket TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Datenblatt HGT1S12N60A4DS DataSheet
- Auf Lager2300
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Spezifikationen
Package | Bulk |
ProductStatus | Active |
Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 600 V |
Current-Collector(Ic)(Max) | 54 A |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 96 A |
Vce(on)(Max)@VgeIc | 2.7V @ 15V, 12A |
Power-Max | 167 W |
SwitchingEnergy | 55µJ (on), 50µJ (off) |
InputType | Standard |
GateCharge | 120 nC |
Td(on/off)@25°C | 17ns/96ns |
TestCondition | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
ReverseRecoveryTime(trr) | 30 ns |
OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
MountingType | Surface Mount |
Package/Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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