HUF76113DK8T

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HUF76113DK8T

N-CHANNEL POWER MOSFET

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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC
Package Bulk
Series UltraFET®
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6A (Ta)
RdsOn(Max)@IdVgs 32mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 19.2nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 605pF @ 25V
Power-Max 2.5W (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-VFSOP (0.091, 2.30mm Width)

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