IGN1011L1200

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IGN1011L1200

GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

  • HerstellerIntegra Technologies Inc.
  • Fr. Teil #IGN1011L1200
  • Paket PL84A1
  • Datenblatt
  • Auf Lager15

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Spezifikationen

Package Tray
ProductStatus Active
TransistorType HEMT
Frequency 1.03GHz ~ 1.09GHz
Gain 16.8dB
Voltage-Test 50 V
Current-Test 160 mA
Power-Output 1250W
Voltage-Rated 180 V
Package/Case PL84A1

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