IGN1011L70

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IGN1011L70

GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

  • HerstellerIntegra Technologies Inc.
  • Fr. Teil #IGN1011L70
  • Paket PL32A2
  • Datenblatt
  • Auf Lager11

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Spezifikationen

Package Bulk
ProductStatus Active
TransistorType GaN HEMT
Frequency 1.03GHz ~ 1.09GHz
Gain 22dB
Voltage-Test 50 V
Current-Test 22 mA
Power-Output 80W
Voltage-Rated 120 V
Package/Case PL32A2

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