IGT60R190D1SATMA1

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IGT60R190D1SATMA1

GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF

  • Hersteller
  • Fr. Teil #IGT60R190D1SATMA1
  • Paket
  • Datenblatt
  • Auf Lager773

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Spezifikationen

Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Series CoolGaN™
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 12.5A (Tc)
Vgs(th)(Max)@Id 1.6V @ 960µA
Vgs(Max) -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 157 pF @ 400 V
PowerDissipation(Max) 55.5W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-HSOF-8-3

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