IPB25N06S3-25

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IPB25N06S3-25

MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3

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  • Fr. Teil #IPB25N06S3-25
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Spezifikationen

Supplier Infineon Technologies
Package Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 25A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 24.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 20µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 41 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1862 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 48W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-TO263-3-2

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