IPB65R099C6ATMA1

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IPB65R099C6ATMA1

MOSFET N-CH 650V 38A D2PAK

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  • Fr. Teil #IPB65R099C6ATMA1
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Spezifikationen

Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Series CoolMOS™
ProductStatus Discontinued at Digi-Key
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 38A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 99mOhm @ 12.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3.5V @ 1.2mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 127 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2780 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max) 278W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-TO263-3

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