IPD25N06S4L30ATMA1

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IPD25N06S4L30ATMA1

MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31

  • Hersteller
  • Fr. Teil #IPD25N06S4L30ATMA1
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Spezifikationen

Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Series OptiMOS™
ProductStatus Discontinued at Digi-Key
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 25A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 30mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.2V @ 8µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 16.3 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±16V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1220 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 29W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-TO252-3-11

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