IPD50R380CEATMA1

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IPD50R380CEATMA1

MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3

  • Hersteller
  • Fr. Teil #IPD50R380CEATMA1
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Spezifikationen

Supplier Infineon Technologies
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series CoolMOS™ CE
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 14.1A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 13V
RdsOn(Max)@IdVgs 380mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs(th)(Max)@Id 3.5V @ 260µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 24.8 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 584 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max) 98W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-TO252-3

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