IPD60R600C6ATMA1

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IPD60R600C6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

  • Hersteller
  • Fr. Teil #IPD60R600C6ATMA1
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Spezifikationen

Series CoolMOS™ C6
Part Status Not For New Designs
Base Product Number IPD60R
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 100 V
Power Dissipation (Max) 63W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO252-3
Package TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

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