IPD65R600C6BTMA1

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IPD65R600C6BTMA1

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

  • Hersteller
  • Fr. Teil #IPD65R600C6BTMA1
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Spezifikationen

Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Series CoolMOS™
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7.3A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3.5V @ 210µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 23 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 440 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max) 63W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-TO252-3

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