IPG20N04S412ATMA1

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IPG20N04S412ATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

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Spezifikationen

Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Bulk
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
ProductStatus Active
FETType 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 40V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 20A
RdsOn(Max)@IdVgs 12.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 15µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 18nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1470pF @ 25V
Power-Max 41W
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount
Package/Case 8-PowerVDFN

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