IPL65R190E6AUMA1

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IPL65R190E6AUMA1

MOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON

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  • Fr. Teil #IPL65R190E6AUMA1
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Spezifikationen

Supplier Infineon Technologies
Package Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ E6
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 650 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 20.2A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3.5V @ 700µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 73 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1620 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max) 151W (Tc)
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-VSON-4

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