IPT017N12NM6ATMA1

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IPT017N12NM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

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Spezifikationen

Series OptiMOS™ 6
Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 120 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Ta), 331A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 275µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 141 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11000 pF @ 60 V
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 395W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PG-HSOF-8
Package / Case 8-PowerSFN
Base Product Number IPT017

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