IPU50R1K4CEAKMA1

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IPU50R1K4CEAKMA1

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO251-3

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  • Fr. Teil #IPU50R1K4CEAKMA1
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Spezifikationen

Supplier Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Package Bulk,Tube
Series CoolMOS™ CE
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 500 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.1A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 13V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs(th)(Max)@Id 3.5V @ 70µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 8.2 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 178 pF @ 100 V
PowerDissipation(Max) 42W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole
SupplierDevicePackage PG-TO251-3

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